近日，光電工程學(xué)院阮雙琛教授團(tuán)隊(duì)在國際頂尖材料學(xué)期刊《Advanced Materials》(中科院JCR 1區(qū)，影響因子19.791)上在線發(fā)表了題為“Phosphorene/ZnO Nano-Heterojunctions for Broadband Photonic Nonvolatile Memory Application”的研究成果。光電工程學(xué)院阮雙琛教授、曾昱嘉教授、電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院韓素婷副教授為共同通訊作者，光電工程學(xué)院副研究員胡亮博士為第一作者。深圳大學(xué)為唯一完成單位。

大數(shù)據(jù)時代對于存儲速度和密度的迫切需求，推動科研工作者探索新的操控方式（比如光）去提升器件的存儲性能，光調(diào)制存儲器概念應(yīng)運(yùn)而生。但如何進(jìn)一步拓展該類型器件的電磁波譜響應(yīng)范圍，優(yōu)化多級存儲密度，成為一個具有重要研究價值的課題。研究團(tuán)隊(duì)利用單層磷烯量子點(diǎn)與氧化鋅結(jié)合，構(gòu)筑了三維組裝結(jié)構(gòu)的范德華納米異質(zhì)結(jié)。研究表明，該類異質(zhì)結(jié)不僅可以有效分離光生激子、拓展光譜吸收范圍，同時提升黑磷材料的抗氧化（普通放置50天不衰減）、抗輻照（多波長高功率激發(fā)無衰減）與抗高溫（最高可耐730 K）能力。研究團(tuán)隊(duì)將該材料首次應(yīng)用在阻變型光調(diào)制存儲器中，通過改變光照波長、強(qiáng)度等條件，有效調(diào)節(jié)了存儲器的寫入（SET）電壓，使器件在紫外（380nm）到近紅外（785nm）寬波段范圍內(nèi)均能有效工作，這是到目前為止最寬響應(yīng)波段的光調(diào)制存儲器，對未來光調(diào)制存儲器的開發(fā)具有一定的借鑒指導(dǎo)意義。從材料應(yīng)用角度，磷烯與氧化鋅異質(zhì)結(jié)充分兼容于膠體成膜工藝，可實(shí)現(xiàn)大面積印刷，因此具有良好的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。

該研究得到了國家自然科學(xué)基金，廣東省教育廳，廣東省科技廳，深圳市科創(chuàng)委等項(xiàng)目的資助。

研究成果鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201801232