近日，我校電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院韓素婷副教授成果在Advanced Materials（影響因子：19.791, 中科院JCR一區(qū)）上發(fā)表題為“Synergies of electrochemical metallization and valance change in all-inorganic perovskite quantum dots for resistive switching”的文章（Adv. Mater., 2018, DOI:10.1002/adma.201800327）。該文章的第一作者為電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院博士后王燕，高等研究院周曄研究員為共同通訊作者，深圳大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院為第一完成單位及通訊單位。作為下一代非易失型存儲器，阻變存儲器通過器件在不同電阻狀態(tài)(高阻態(tài)和低阻態(tài))之間的互相轉(zhuǎn)換來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，具有單元尺寸小、讀寫速度快、功耗低、制備工藝和器件結(jié)構(gòu)簡單等優(yōu)點(diǎn)。科學(xué)家根據(jù)不同材料體系構(gòu)建了不同的阻變存儲器模型，但是隱藏在背后的電阻轉(zhuǎn)變機(jī)理仍不夠清晰。如何進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)對阻變機(jī)理的實(shí)時動態(tài)分析，制備性能更優(yōu)異的存儲器具有重要的研究價值。本文首次將無機(jī)鹵素鈣鈦礦CsPbX3量子點(diǎn)應(yīng)用在阻變存儲器中，系統(tǒng)性研究不同光照條件對存儲器阻變性能的影響，對今后光控存儲器的開發(fā)具有一定的指導(dǎo)意義，能夠成為該方向上的一個重要亮點(diǎn)。同時創(chuàng)新性地利用SEM、EDX技術(shù)對水平結(jié)構(gòu)器件進(jìn)行動態(tài)監(jiān)測。在阻變存儲器機(jī)理研究領(lǐng)域方法新穎，具有可借鑒推廣性。為實(shí)現(xiàn)高性能存儲器的制備提供了一種簡單高效的理論研究方法。
該研究得到了國家自然科學(xué)基金，廣東省教育廳，廣東省科技廳，深圳市科創(chuàng)委等項(xiàng)目的資助。
研究成果鏈接：https://doi.org/10.1002/adma.201800327
