近日，材料學(xué)院劉新科博士的高壓氮化鎵肖特基二極管的研究成果被Semiconductor Today專題報(bào)道。文章指出相比較在藍(lán)寶石襯底或硅基襯底上異質(zhì)外延的氮化鎵材料，在自支撐（free-standing）氮化鎵襯底上同質(zhì)外延的氮化鎵材料具有無(wú)法比擬的突出特點(diǎn)，即材料缺陷密度超低（10⁵-10⁶ cm^-2），相比異質(zhì)氮化鎵外延材料（10¹⁰-10¹²cm^-2）。具有超低材料缺陷密度的自支撐氮化鎵可以提高其器件的可靠性。因此，自支撐氮化鎵電力電子器件，被認(rèn)為是繼硅基功率器件后，可應(yīng)用于下一代電力轉(zhuǎn)化系統(tǒng)（DC/DC,DC/AC,AC/DC）的關(guān)鍵元器件。另外，劉博士在高壓氮化鎵肖特基二極管主張開展無(wú)金的硅基CMOS兼容的材料和工藝的特色研究，因?yàn)榻鹪卦诠杌牧现惺请娮硬东@復(fù)合的深能級(jí)缺陷，不利于將來(lái)采用硅基代工廠來(lái)實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件的量產(chǎn)。該研究得到了國(guó)家自然科學(xué)基金，深圳市基礎(chǔ)研究布局的多項(xiàng)資金支持。

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