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深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院范平教授團(tuán)隊(duì)梁廣興研究員課題組近期在多家頂級(jí)期刊發(fā)表關(guān)于全無機(jī)硫系薄膜用于太陽電池、光水解制氫和光電探測(cè)器的最新研究成果

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-04-27 14:33 點(diǎn)擊數(shù): Views

深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院范平教授團(tuán)隊(duì)梁廣興研究員課題組近期在國際材料和應(yīng)用物理領(lǐng)域頂級(jí)期刊Advanced Energy Materials(影響因子:29.698)、InfoMat(影響因子:24.798)和Advanced Functional Materials(影響因子:19.924)上發(fā)表關(guān)于全無機(jī)硫系薄膜用于太陽電池、光水解制氫和光電探測(cè)器的最新研究成果。

鋅黃錫礦半導(dǎo)體Cu2ZnSn(SxSe1-x)4(CZTSSe)因其廉價(jià)無毒的元素組成以及具有大于32%的理論光電轉(zhuǎn)換效率成為很有前途的薄膜光伏材料之一。近年來CZTSSe薄膜太陽電池的效率不斷攀升,但仍遠(yuǎn)低于其理論值,這主要?dú)w因于較大的開路電壓虧損。本文采用非真空綠色環(huán)保的溶膠凝膠法結(jié)合硒化熱處理生長CZTSSe薄膜,深入剖析硒化反應(yīng)機(jī)理,首次闡明了抑制錫損失的蒸氣成分(氣態(tài)SnSe3)以及SnSe3促進(jìn)CZTSSe形成路徑;并在SnS和SnSe2粉末以及Se粒結(jié)合的硒化條件下獲得了高結(jié)晶度且成分可控的光吸收層CZTSSe薄膜,其后構(gòu)建CZTSSe薄膜太陽電池進(jìn)行物理分析,研究表明,高結(jié)晶質(zhì)量的吸收層薄膜使得晶界處的能帶彎曲程度最優(yōu)以及有效抑制了界面復(fù)合。此外,CuZn和CuSn反位缺陷濃度顯著降低,開路電壓從508 mV提高到546 mV,最終獲得在空氣環(huán)境中制備CZTSSe薄膜太陽電池的最高光電轉(zhuǎn)換效率12.89%。相關(guān)研究成果發(fā)表在Advanced Energy Materials (2023)2300521(影響因子:29.698),梁廣興和蘇正華為通訊作者,其指導(dǎo)的碩士研究生于紫軒為第一作者,深圳大學(xué)為唯一通訊單位。

文章鏈接:https://doi.org/10.1002/aenm.202300521

基于CZTSSe薄膜優(yōu)異的光電性能,構(gòu)建出Glass/Mo/CZTSSe/CdS/TiO2/Pt薄膜光電陰極實(shí)現(xiàn)太陽光水解制備“綠氫”;通過協(xié)同光吸收層薄膜和異質(zhì)結(jié)界面性能優(yōu)化,顯著地抑制界面非輻射復(fù)合損失,從而提升電荷的分離和轉(zhuǎn)移效率,將CZTSSe薄膜光電陰極的光電流密度提升至目前已報(bào)道的最高值40.40 mA cm?2,接近其理論光電流密度值42.85 mAcm?2;同時(shí),獲得6.47%的半電池太陽能-氫能轉(zhuǎn)化效率。相關(guān)研究成果發(fā)表在Advanced Energy Materials (2023) 2300215上(影響因子:29.698),梁廣興為論文第一作者,其指導(dǎo)的碩士研究生李志東為第二作者,陳爍為通訊作者,深圳大學(xué)為唯一通訊單位。

文章鏈接:https://doi.org/10.1002/aenm.202300215

Sb2Se3在新型高效低成本薄膜光電探測(cè)器研究領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注,主要由于以下優(yōu)勢(shì):(1)一維晶體結(jié)構(gòu),探測(cè)器像素之間無橫向串?dāng)_:Sb2Se3具有一維晶體結(jié)構(gòu)(c方向?yàn)楣矁r(jià)鍵,a和b方向?yàn)槿醴兜氯A力相互作用),強(qiáng)各向異性促使載流子沿著[Sb4Sb6]n鏈有效地運(yùn)輸,在鏈間則以hopping形式傳輸,利于消除探測(cè)器橫向串?dāng)_;(2)缺陷存在互補(bǔ)償:Sb2Se3天然存在VSb、VSe等點(diǎn)缺陷,對(duì)應(yīng)的缺陷深度為0.4~0.7 eV,有望利用缺陷吸光進(jìn)行非本征探測(cè)將探測(cè)波段拓寬至2000 nm;(3)Sb2Se3具有較低的結(jié)晶溫度(133°C),相應(yīng)探測(cè)器與CMOS工藝高度兼容。本文采用濺射硒化法制備了[hk1]擇優(yōu)取向生長的Sb2Se3薄膜,構(gòu)建優(yōu)異的Sb2Se3/CdS平面異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器。為了進(jìn)一步提升器件性能,利用Al3+摻雜CdS緩沖層,降低界面缺陷密度和體缺陷密度、增加耗盡層寬度以及優(yōu)化p-n結(jié)界面能帶排列,進(jìn)一步降低器件的載流子復(fù)合,提升載流子輸運(yùn)能力?;诖?,該薄膜光電探測(cè)器能夠?qū)崿F(xiàn)無外加偏壓自驅(qū)動(dòng)工作,響應(yīng)度提升至0.9 A/W、探測(cè)度達(dá)到4.78×1012Jones、開關(guān)比高達(dá)106、線性動(dòng)態(tài)范圍高達(dá)120 dB、響應(yīng)速度首次達(dá)到ns量級(jí)(響應(yīng)時(shí)間24 ns和恢復(fù)時(shí)間75 ns)。相關(guān)研究成果發(fā)表在InfoMat (2023) e12400上(影響因子:24.798),陳爍為論文第一作者,其指導(dǎo)的碩士研究生付毅為第二作者,梁廣興為通訊作者,深圳大學(xué)為唯一通訊單位。

文章鏈接:http://doi.org/10.1002/inf2.12400

課題組提出了一種異質(zhì)結(jié)界面優(yōu)化策略,通過在CdS緩沖層中引入Al3+離子并進(jìn)行熱處理,Sb2Se3/CdS:Al異質(zhì)結(jié)的能帶排列可有效地由“懸崖狀”結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)槔硐氲摹伴L釘狀”結(jié)構(gòu),從而降低異質(zhì)結(jié)界面缺陷濃度,抑制載流子非輻射復(fù)合,提高太陽電池性能;最后總結(jié)分析Sb2Se3薄膜太陽電池載流子動(dòng)力學(xué)優(yōu)化機(jī)制對(duì)太陽電池效率進(jìn)一步提升具有重要意義。相關(guān)研究成果發(fā)表在Advanced Functional Materials (2023) 2213941(影響因子:19.924),梁廣興和陳爍為論文通訊作者,其指導(dǎo)的聯(lián)合培養(yǎng)博士研究生羅燕娣為第一作者,深圳大學(xué)為唯一通訊單位。

文章鏈接:https://doi.org/10.1002/adfm.202213941

項(xiàng)目支持:國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目,國家自然科學(xué)基金青年項(xiàng)目,廣東省教育廳重大科研項(xiàng)目,廣東省自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目,深圳市重點(diǎn)項(xiàng)目和深圳大學(xué)荔園優(yōu)青項(xiàng)目(1期和2期)支持。

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